馬弗爐的分類與用途：
一、分類
1. 按加熱元件類型
電阻絲加熱：溫度通常≤1200℃，適用于實驗室常規加熱（如灰化、退火）。
硅碳棒（SiC）加熱：溫度可達1300-1400℃，用于陶瓷燒結、高溫熱處理。
硅鉬棒（MoSi?）加熱：溫度達1600-1800℃，適合超高溫材料合成（如特種陶瓷）。
2. 按結構設計
箱式爐：通用型，適合批量樣品處理（如材料退火、灰分測定）。
管式爐：配合氣體保護或真空系統，用于材料合成（如納米材料）或單晶生長。
升降式爐：爐體可升降，便于快速取放大件樣品（如金屬部件淬火）。
3. 按溫度范圍
低溫型（≤1200℃）：用于食品灰化、塑料燃燒測試。
中溫型（1200-1400℃）：常見于材料燒結（如氧化鋁陶瓷）。
高溫型（＞1400℃）：用于特種材料（如碳化硅、氮化硼）制備。
4. 按控制方式
普通溫控：手動設置溫度，適合簡單工藝（如樣品干燥）。
程序控溫：可編程升溫曲線，用于復雜熱處理（如分階段退火）。
5. 按應用領域
實驗室型：體積小，精度高（如高校、檢測機構）。
工業型：大容量，耐長時間運行（如冶金廠金屬熱處理）。
二、主要用途
1. 材料制備與處理
燒結：陶瓷、金屬粉末成型（如氧化鋯陶瓷牙冠燒結）。
退火/淬火：消除金屬內應力（如工具鋼硬度調整）。
2. 分析檢測
灰化測定：食品中灰分含量檢測（如奶粉、谷物分析）。
燒失量測試：水泥、礦物在高溫下的質量變化。
3. 科研與特殊工藝
高溫合成：合成碳納米管、超導材料（需惰性氣體保護）。
單晶生長：半導體行業制備硅單晶。
4. 工業應用
玻璃加工：玻璃纖維熔融拉絲（1400-1600℃）。
核廢料固化：高溫固化放射性物質（需特殊防護設計）。
5. 電子與半導體
擴散退火：芯片制造中的摻雜工藝。
陶瓷基板燒結：電子元件封裝材料加工。
三、選型建議
實驗室場景：優先選程序控溫箱式爐，溫度精度±1℃。
工業高溫需求：硅鉬棒管式爐，搭配真空系統（如硬質合金燒結）。
快速處理樣品：升降式爐體可提升效率（如金屬熱處理車間）。
通過合理分類與針對性應用，馬弗爐在材料科學、工業制造及科研領域發揮著關鍵作用。
上海合恒儀器設備有限公司
2025.5.14
